Повышение конкурентоспособности американской полупроводниковой промышленности

Повышение конкурентоспособности американской полупроводниковой промышленности

Согласно этому документу, возникали намного более широкие возможности для создания смешанных фирм по проведению НИР. Этот закон был прямо нацелен на создание в США таких же благоприятных условий для сотрудничества фирм и государственных организаций в сфере НИР, какие существуют в Японии. До 1984 г осуществление в США таких проектов, как Японский проект 1976—1979 гг. по созданию СБИС, было невозможно в принципе, так как противоречило антимонополистическому законодательству США. Принятый в декабре 1987 г закон о бюджете США на 1988/89 фин. Принятый в декабре 1987 г закон о бюджете США на 1988/89 фин. г включал выделение государственных субсидий на два проекта НИР; проект «SEMATEK» по разработке полупроводников нового поколения (на сумму 100 млн. долл) и проект по разработке рентгеновской литографии (на сумму 15 млп долл.). В течение шестилетнего периода государственные субси дии по этим двум программам составят 700 млн. долл [127 Оба проекта являются программами, в которых бу дут участвовать как частнокорпоративный сектор, так и универ ситеты и государственные Организации. Эти проекты направле на непосредственно на противодействие Японии, на повышение конкурентоспособности Американской полупроводниковой промышленности. Программа по созданию полупроводников нового поколения ставит целью разработку более совершенных микросхем, чем в Японии.

Повышение конкурентоспособности американской полупроводниковой промышленности: Один комментарий

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Можно использовать следующие HTML-теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>

Подтвердите, что Вы не бот — выберите человечка с поднятой рукой: